MOSFET STMicroelectronics STP18N65M2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M2
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
330 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
15.75mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 133.100
$ 2.662 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 158.389
$ 3.167,78 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.662 | $ 133.100 |
| 100 - 200 | $ 2.076 | $ 103.800 |
| 250+ | $ 1.868 | $ 93.400 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M2
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Single
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
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1.6V
Altura
15.75mm
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