MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
13A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Series
MDmesh M2
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
280mΩ
Modo de canal
Mejora
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
21.5nC
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Anchura
4.6 mm
Altura
15.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 13.780
$ 2.756 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 16.398
$ 3.279,64 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 2.756 | $ 13.780 |
| 25 - 45 | $ 2.618 | $ 13.090 |
| 50 - 120 | $ 2.353 | $ 11.765 |
| 125 - 245 | $ 2.123 | $ 10.615 |
| 250+ | $ 2.013 | $ 10.065 |
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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Encapsulado
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
280mΩ
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Mejora
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
21.5nC
Tensión directa Vf
1.6V
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Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
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Altura
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No
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