MOSFET STMicroelectronics STP18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M2
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Altura
15.75mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 13.780
$ 2.756 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 16.398
$ 3.279,64 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 2.756 | $ 13.780 |
| 25 - 45 | $ 2.618 | $ 13.090 |
| 50 - 120 | $ 2.353 | $ 11.765 |
| 125 - 245 | $ 2.123 | $ 10.615 |
| 250+ | $ 2.013 | $ 10.065 |
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N
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Series
MDmesh M2
Tipo de Montaje
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3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
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2V
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