MOSFET STMicroelectronics STP18N55M5, VDSS 550 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
550 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M5
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
240 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.75mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 91.050
$ 1.821 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 108.350
$ 2.166,99 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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N
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13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
550 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M5
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
240 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.75mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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