MOSFET STMicroelectronics STP16NF06L, VDSS 60 V, ID 16 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,3 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
50
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,3 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos