MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
299mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 156.700
$ 3.134 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 186.473
$ 3.729,46 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 3.134 | $ 156.700 |
| 100 - 200 | $ 3.049 | $ 152.450 |
| 250 - 450 | $ 2.969 | $ 148.450 |
| 500 - 950 | $ 2.893 | $ 144.650 |
| 1000+ | $ 2.821 | $ 141.050 |
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Especificaciones
Brand
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MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
299mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Temperatura Máxima de Operación
150°C
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No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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