MOSFET STMicroelectronics STP16N65M5, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
299 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 7.844
$ 3.922 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 9.334
$ 4.667,18 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
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2
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2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 3.922 | $ 7.844 |
| 10 - 98 | $ 3.812 | $ 7.624 |
| 100 - 248 | $ 3.709 | $ 7.418 |
| 250 - 498 | $ 3.623 | $ 7.246 |
| 500+ | $ 3.528 | $ 7.056 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
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TO-220
Series
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
299 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
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+25 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
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Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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