MOSFET STMicroelectronics STP15N95K5, VDSS 950 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
950 V
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
15.75mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 248.850
$ 4.977 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 296.132
$ 5.922,63 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 4.977 | $ 248.850 |
| 100 - 200 | $ 3.982 | $ 199.100 |
| 250+ | $ 3.583 | $ 179.150 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Series
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
15.75mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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