Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Pack
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
4.2mΩ
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.2V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
127nC
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N STMicroelectronics utiliza tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que proporciona una resistencia de estado de conexión muy baja, al tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
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$ 5.104
$ 2.552 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 6.074
$ 3.036,88 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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Tipo de Pack
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Tipo de Montaje
Orificio pasante
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
4.2mΩ
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.2V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
127nC
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
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No
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N STMicroelectronics utiliza tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que proporciona una resistencia de estado de conexión muy baja, al tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
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