MOSFET STMicroelectronics STP14NK50Z, VDSS 500 V, ID 14 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 761-0014PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP14NK50Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

14 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

380 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

69 nC a 10 V

Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.75mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STP14NK50Z, VDSS 500 V, ID 14 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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TO-220

Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

380 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

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Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

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1

Largo

10.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.75mm

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