Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Disipación de potencia máxima Pd
310W
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
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2
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Disipación de potencia máxima Pd
310W
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


