MOSFET STMicroelectronics STP140NF75, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5302PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP140NF75
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

75 V

Series

STripFET II

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

310000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

160 nC a 10 V

Largo

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

9.15mm

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STP140NF75, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

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TO-220

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

310000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

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1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

160 nC a 10 V

Largo

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

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