Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Serie
STripFET II
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-20, +20V
Tensión directa Vf
1.5V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Disipación de potencia máxima Pd
310W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6mm
Altura
9.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
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2
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Serie
STripFET II
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-20, +20V
Tensión directa Vf
1.5V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Disipación de potencia máxima Pd
310W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6mm
Altura
9.15mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.