Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
90A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
80V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
4.3mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
200W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
96nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Anchura
4.6 mm
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
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Empaque de Producción (Tubo)
5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
90A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
80V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
4.3mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
200W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
96nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Anchura
4.6 mm
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


