Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
90A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
80V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET H7
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
4.3mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.1V
Disipación de potencia máxima Pd
200W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
96nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 19.135
$ 3.827 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 22.771
$ 4.554,13 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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Estándar
5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 3.827 | $ 19.135 |
| 25 - 45 | $ 3.635 | $ 18.175 |
| 50 - 120 | $ 3.273 | $ 16.365 |
| 125 - 245 | $ 2.942 | $ 14.710 |
| 250+ | $ 2.794 | $ 13.970 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
90A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
80V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET H7
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
4.3mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.1V
Disipación de potencia máxima Pd
200W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
96nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


