MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET F7
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.5mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
158W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
55nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 115.750
$ 2.315 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 137.742
$ 2.754,85 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.315 | $ 115.750 |
| 100 - 200 | $ 1.807 | $ 90.350 |
| 250+ | $ 1.706 | $ 85.300 |
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Encapsulado
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Tipo de soporte
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de Canal
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Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
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Tensión máxima de la fuente de la puerta
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
55nC
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4.6 mm
Altura
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Longitud
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No
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