MOSFET STMicroelectronics STP140N6F7, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET F7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
158000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
55 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 14.410
$ 2.882 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 17.148
$ 3.429,58 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 2.882 | $ 14.410 |
| 25 - 45 | $ 2.737 | $ 13.685 |
| 50 - 120 | $ 2.463 | $ 12.315 |
| 125 - 245 | $ 2.218 | $ 11.090 |
| 250+ | $ 2.107 | $ 10.535 |
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N
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Mejora
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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1
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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