MOSFET STMicroelectronics STP140N6F7, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET F7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
158000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
55 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
9.15mm
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 115.750
$ 2.315 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 137.742
$ 2.754,85 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.315 | $ 115.750 |
| 100 - 200 | $ 1.807 | $ 90.350 |
| 250+ | $ 1.706 | $ 85.300 |
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N
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STripFET F7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Largo
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Temperatura Mínima de Operación
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Tensión de diodo directa
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