Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
66 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 16.930
$ 3.386 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 20.147
$ 4.029,34 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 16.930
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 3.386 | $ 16.930 |
| 10 - 95 | $ 2.895 | $ 14.475 |
| 100 - 495 | $ 2.240 | $ 11.200 |
| 500 - 995 | $ 1.899 | $ 9.495 |
| 1000+ | $ 1.594 | $ 7.970 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
66 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


