Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
450mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
29nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Tubo)
5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
450mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
29nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Profundidad
4.6 mm
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto


