MOSFET STMicroelectronics STP13N80K5, VDSS 800 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 791-7807PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP13N80K5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Series

MDmesh K5, SuperMESH5

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

450 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

190000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.75mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

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N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

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Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

450 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

190000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

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