Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET II
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
10.5mΩ
Modo de canal
Mejora
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
312W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
172nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Tubo)
2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET II
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
10.5mΩ
Modo de canal
Mejora
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
312W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
172nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


