Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-220
Serie
STripFET II
Tipo de soporte
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
10.5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
312W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
172nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
P.O.A.
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2
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-220
Serie
STripFET II
Tipo de soporte
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
10.5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
312W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
172nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


