Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Series
STripFET II
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
10.5mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
172nC
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
312W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 3.008
$ 1.504 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 3.580
$ 1.789,76 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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Estándar
2
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MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Series
STripFET II
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
10.5mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
172nC
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
312W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


