MOSFET STMicroelectronics STP120NF10, VDSS 100 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5295Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP120NF10
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

STripFET II

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

312000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud:

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

4.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

172 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

9.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 3.008

$ 1.504 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 3.580

$ 1.789,76 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STP120NF10, VDSS 100 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 3.008
4$ 6.016
6$ 9.024
8$ 12.032
10$ 15.040
12$ 18.048
14$ 21.056
16$ 24.064
18$ 27.072
20$ 30.080
22$ 33.088
24$ 36.096
26$ 39.104
28$ 42.112
30$ 45.120

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14$ 21.056
16$ 24.064
18$ 27.072
20$ 30.080
22$ 33.088
24$ 36.096
26$ 39.104
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Series

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Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

312000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Longitud:

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

4.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

172 nC a 10 V

Material del transistor

Si

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1

Altura

9.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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