Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
9A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
400V
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
550mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
32nC
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Longitud
10.4mm
Altura
16.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 14.965
$ 2.993 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 17.808
$ 3.561,67 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 14.965
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$ 3.561,67 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 2.993 | $ 14.965 |
| 10 - 95 | $ 2.523 | $ 12.615 |
| 100 - 495 | $ 1.985 | $ 9.925 |
| 500 - 995 | $ 1.660 | $ 8.300 |
| 1000+ | $ 1.395 | $ 6.975 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
9A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
400V
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
550mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
32nC
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Longitud
10.4mm
Altura
16.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


