MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP110N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
7mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
72nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 17.170
$ 3.434 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 20.432
$ 4.086,46 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 3.434 | $ 17.170 |
| 25 - 45 | $ 3.260 | $ 16.300 |
| 50 - 120 | $ 2.936 | $ 14.680 |
| 125 - 245 | $ 2.643 | $ 13.215 |
| 250+ | $ 2.511 | $ 12.555 |
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MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
7mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
72nC
Tensión directa Vf
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Ancho
4.6 mm
Altura
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Largo
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No
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No
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