MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET H7
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
7mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
72nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 132.300
$ 2.646 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 157.437
$ 3.148,74 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 132.300
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.646 | $ 132.300 |
| 100 - 200 | $ 2.383 | $ 119.150 |
| 250+ | $ 2.323 | $ 116.150 |
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Especificaciones
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Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET H7
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
7mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
72nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
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No
Ancho
4.6 mm
Altura
15.75mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
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