MOSFET STMicroelectronics STP10NM60N, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 760-9972Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP10NM60N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

550 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

70000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19 nC a 10 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.75mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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