MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
9A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
900mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
72nC
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Longitud
10.4mm
Altura
9.3mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 205.550
$ 4.111 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 244.604
$ 4.892,09 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 4.111 | $ 205.550 |
| 100 - 450 | $ 3.281 | $ 164.050 |
| 500 - 950 | $ 2.923 | $ 146.150 |
| 1000 - 4950 | $ 2.471 | $ 123.550 |
| 5000+ | $ 2.364 | $ 118.200 |
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MOSFET
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Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
9A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
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Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
900mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
72nC
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
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Ancho
4.6 mm
Longitud
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Altura
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No
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