MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 700 V, ID 8.6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código de producto RS: 920-8846Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP10NK70ZFP
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-220

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

850mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Altura

16.4mm

Certificaciones y estándares

No

Ancho

4.6 mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 700 V, ID 8.6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

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700V

Encapsulado

TO-220

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

850mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Altura

16.4mm

Certificaciones y estándares

No

Ancho

4.6 mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

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