Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
9.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 19.135
$ 3.827 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 22.771
$ 4.554,13 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 19.135
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 3.827 | $ 19.135 |
| 10 - 95 | $ 3.248 | $ 16.240 |
| 100 - 495 | $ 2.529 | $ 12.645 |
| 500 - 995 | $ 2.148 | $ 10.740 |
| 1000+ | $ 1.789 | $ 8.945 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Altura
9.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


