MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código de producto RS: 920-8723Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP10NK60ZFP
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

750mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50nC

Tensión directa Vf

1.6V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Ancho

4.6 mm

Altura

9.3mm

Largo

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

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Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

750mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50nC

Tensión directa Vf

1.6V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Ancho

4.6 mm

Altura

9.3mm

Largo

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No

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