Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
10.4mm
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.3mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 4.380
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 5.212,20
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
Estándar
5
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5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 5 | $ 4.380 | $ 21.900 |
10 - 95 | $ 3.717 | $ 18.585 |
100 - 495 | $ 2.893 | $ 14.465 |
500 - 995 | $ 2.457 | $ 12.285 |
1000+ | $ 2.045 | $ 10.225 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
10.4mm
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.3mm
Datos del producto