MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
85000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 6.615
$ 1.323 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 7.872
$ 1.574,37 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.323 | $ 6.615 |
| 25 - 45 | $ 1.257 | $ 6.285 |
| 50 - 120 | $ 1.134 | $ 5.670 |
| 125 - 245 | $ 1.017 | $ 5.085 |
| 250+ | $ 967 | $ 4.835 |
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N
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7.5 A
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Si
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