MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STP100N8F6, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código de producto RS: 719-658Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP100N8F6
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de Canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

STP

Encapsulado

TO-220

Tipo de soporte

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.009Ω

Modo de canal

Enhancement

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

100nC

Disipación de potencia máxima Pd

176W

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Altura

4.6mm

Longitud

15.75mm

País de Origen

China

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STP

Encapsulado

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Tipo de soporte

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Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.009Ω

Modo de canal

Enhancement

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

100nC

Disipación de potencia máxima Pd

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