MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO67N60DM6, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código de producto RS: 206-8631PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STO67N60DM6
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Series

STO67N60DM6

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

59mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72.5nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Ancho

9.8 mm

Altura

2.2mm

Longitud

11.48mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO67N60DM6, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

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2

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14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
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Surface

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3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

59mΩ

Modo de Canal

Enhancement

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150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

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-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72.5nC

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