sin IVA
con IVA
¿Qué busca?
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Encapsulado
SOT-223
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Disipación de potencia máxima Pd
1.6W
Temperatura Mínima de Operación
-65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Largo
6.7mm
Altura
1.8mm
Certificaciones y estándares
RoHS complaint
Anchura
3.7mm
Estándar de automoción
AEC-Q200
Datos del producto
The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
Volver a intentar más tarde
$ 258.000
$ 258 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 307.020
$ 307,02 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 258.000
$ 258 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 307.020
$ 307,02 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
1000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Encapsulado
SOT-223
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Disipación de potencia máxima Pd
1.6W
Temperatura Mínima de Operación
-65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Largo
6.7mm
Altura
1.8mm
Certificaciones y estándares
RoHS complaint
Anchura
3.7mm
Estándar de automoción
AEC-Q200
Datos del producto
The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.