Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
25V
Encapsulado
SOT-223
Serie
STN6N60M2
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.25Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
6W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.8mm
Longitud
6.8mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.48mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado con tecnología MDmesh M2. Gracias a su diseño de tira y a una estructura vertical mejorada, el dispositivo muestra baja resistencia de conexión y características de conmutación optimizadas, lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
Volver a intentar más tarde
$ 1.216.000
$ 304 Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 1.447.040
$ 361,76 Each (On a Reel of 4000) (IVA Inc.)
4000
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$ 361,76 Each (On a Reel of 4000) (IVA Inc.)
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4000
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Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
25V
Encapsulado
SOT-223
Serie
STN6N60M2
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.25Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
6W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.8mm
Longitud
6.8mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.48mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado con tecnología MDmesh M2. Gracias a su diseño de tira y a una estructura vertical mejorada, el dispositivo muestra baja resistencia de conexión y características de conmutación optimizadas, lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.