Transistor MOSFET STMicroelectronics STN3PF06, VDSS 60 V, ID 2,5 A, SOT-223 de 4 pines

Código de producto RS: 248-962Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STN3PF06
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Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16 nC a 10 V

Número de elementos por chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.5mm

Ancho

3.5mm

Series

STripFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Altura

1.8mm

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P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

Transistor MOSFET STMicroelectronics STN3PF06, VDSS 60 V, ID 2,5 A, SOT-223 de 4 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Tipo de montaje

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4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

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-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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1

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