MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Tipo P
Corriente continua máxima de drenaje ld
3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
SOT-223
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
160mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
2.6W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6.4nC
Tensión directa Vf
-1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Anchura
3.7 mm
Altura
1.8mm
Largo
6.7mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.952.000
$ 488 Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 2.322.880
$ 580,72 Each (On a Reel of 4000) (IVA Inc.)
4000
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3A
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Encapsulado
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Series
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
160mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
2.6W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6.4nC
Tensión directa Vf
-1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Anchura
3.7 mm
Altura
1.8mm
Largo
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Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
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