MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STN3P6F6, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type P
Corriente continua máxima de drenaje ld
3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
SOT-223
Series
STripFET
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
160mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
-1.1V
Disipación de potencia máxima Pd
2.6W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6.4nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.7mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
3.7 mm
Altura
1.8mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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MOSFET
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Type P
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
SOT-223
Series
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Surface
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4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
160mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
-1.1V
Disipación de potencia máxima Pd
2.6W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6.4nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.7mm
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No
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3.7 mm
Altura
1.8mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
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