Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Profundidad
3.5mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.8mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 231
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 274,89
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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5
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Profundidad
3.5mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.8mm
Datos del producto