Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
4A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Serie
STN3N
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
7mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
10nC
Disipación de potencia máxima Pd
3.3W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
6.5mm
Altura
1.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El MOSFET de potencia STMicroelectronics es el último desarrollo del proceso basado en tiras de tamaño de característica única de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de encapsulado extremadamente alta para baja resistencia de conexión, características de avalancha resistente y pasos de alineación menos críticos, por lo que una reproducibilidad de fabricación notable.
Volver a intentar más tarde
$ 976.000
$ 244 Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 1.161.440
$ 290,36 Each (On a Reel of 4000) (IVA Inc.)
4000
$ 976.000
$ 244 Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 1.161.440
$ 290,36 Each (On a Reel of 4000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
4000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
4A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Serie
STN3N
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
7mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
10nC
Disipación de potencia máxima Pd
3.3W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
6.5mm
Altura
1.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El MOSFET de potencia STMicroelectronics es el último desarrollo del proceso basado en tiras de tamaño de característica única de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de encapsulado extremadamente alta para baja resistencia de conexión, características de avalancha resistente y pasos de alineación menos críticos, por lo que una reproducibilidad de fabricación notable.