Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
250mA
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
SOT-223
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16Ω
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
2.5W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
7.7nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
6.5mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
3.5 mm
Altura
1.8mm
Estándar de automoción
No
Distrelec Product Id
304-43-898
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
250mA
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
SOT-223
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16Ω
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
2.5W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
7.7nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
6.5mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
3.5 mm
Altura
1.8mm
Estándar de automoción
No
Distrelec Product Id
304-43-898
Datos del producto


