MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z, VDSS 800 V, ID 250 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 714-1076PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STN1NK80Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

250 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,7 nC a 10 V

Anchura

3.5mm

Altura

1.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z, VDSS 800 V, ID 250 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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50P.O.A.
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SOT-223

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,7 nC a 10 V

Anchura

3.5mm

Altura

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