MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, VDSS 600 V, ID 400 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5131Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STN1HNK60
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

400 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.25V

Disipación de Potencia Máxima

3.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

3.5mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 10 V

Altura

1.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 3.980

$ 398 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 4.736

$ 473,62 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 20$ 398$ 3.980
30 - 90$ 378$ 3.780
100 - 490$ 284$ 2.840
500 - 990$ 241$ 2.410
1000+$ 205$ 2.050

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N

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600 V

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Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Montaje

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Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.25V

Disipación de Potencia Máxima

3.3 W

Configuración de transistor

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Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

3.5mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 10 V

Altura

1.8mm

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