Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.25V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
3.5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Altura
1.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 3.980
$ 398 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 4.736
$ 473,62 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
$ 3.980
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$ 473,62 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
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10
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 20 | $ 398 | $ 3.980 |
| 30 - 90 | $ 378 | $ 3.780 |
| 100 - 490 | $ 284 | $ 2.840 |
| 500 - 990 | $ 241 | $ 2.410 |
| 1000+ | $ 205 | $ 2.050 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.25V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
3.5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Altura
1.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


