MOSFET STMicroelectronics STL90N6F7, VDSS 60 V, ID 90 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET F7
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
94 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.35mm
Largo
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.033.000
$ 1.011 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 3.609.270
$ 1.203,09 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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N
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STripFET F7
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
94 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.35mm
Largo
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
País de Origen
China
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STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
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