Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
PowerFLAT
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
50mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Tensión directa Vf
1.3V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
20.5nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.15mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.2 mm
Altura
0.95mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
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Estándar
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
PowerFLAT
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
50mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Tensión directa Vf
1.3V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
20.5nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.15mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.2 mm
Altura
0.95mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


