MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
PowerFLAT
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
50mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
20.5nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
5.2 mm
Altura
0.95mm
Longitud
6.15mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.375.000
$ 1.125 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 4.016.250
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3000
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Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
PowerFLAT
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
50mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
20.5nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
5.2 mm
Altura
0.95mm
Longitud
6.15mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
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