MOSFET STMicroelectronics STL8N10LF3, VDSS 100 V, ID 20 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 907-4744Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STL8N10LF3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET F3

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

70000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

5.2mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20,5 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

0.95mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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N

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Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

70000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

5.2mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20,5 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

0.95mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics

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